Intel的CEO基辛格揚言，在美國與日荷聯(lián)盟的管制下，中國芯片工藝將至少比美國落后10年時間，不過在他說話不久，中國就連連公布重要芯片技術，狠狠打臉，說明他們的圖謀很難成為現(xiàn)實。

首先是中國一家科技企業(yè)公布了新款的芯片9010，上一代芯片9000S已被證實達到7納米的水平，9010芯片的性能得以進一步提升，業(yè)界人士認為這可能已接近5納米工藝，凸顯出中國芯片仍然在突破，芯片設備并未能完全阻止中國芯片工藝的發(fā)展。

對此浸潤式光刻機之父林本堅就表示，中國芯片完全可以以現(xiàn)有的DUV光刻機開發(fā)5納米工藝，只不過如此做可能導致成本過高，也證明了中國只要下功夫完全可以用DUV光刻機生產(chǎn)5納米工藝。

這是對現(xiàn)有的硅基芯片技術進行升級，跟隨的是美國主導的硅基芯片技術路線，這條路線目前確實受到美國的影響，不過顯然中國芯片和美國芯片的工藝技術并未有10年那么大，兩者之間只是隔了3納米、5納米兩代技術而已，臺積電在2018年量產(chǎn)7納米，至今僅相隔6年，而如果國產(chǎn)芯片真的接近5納米水平，那就只有3年差距而已。

值得注意的是美國的芯片工藝其實落后于臺積電，Intel就量產(chǎn)7納米不久，即使Intel指它的7納米相當于臺積電的5納米，與中國芯片的技術也不過是相差3年左右罷了，Intel試圖在明年量產(chǎn)2納米工藝，如此激進地推進技術升級，不知能否成功，畢竟它在7納米、10納米上都先后受挫而延遲數(shù)年量產(chǎn)呢。

如果說在傳統(tǒng)的硅基芯片方面，中國還只能跟隨美國的腳步，那么中國已開辟新的芯片技術路線，繞開美國主導的硅基芯片技術，這將成為中國芯片彎道超車的機會，進而取得先進芯片技術領先優(yōu)勢。

中國和美國都在發(fā)展量子計算技術，外媒認為在這項先進技術方面，中國已與美國處于同一起跑線，兩者沒有太大差距，甚至中國還有一些領先優(yōu)勢。

中國在同時發(fā)展光量子、超導量子技術，這都被認為是量子技術的方向，日前中國的本源量子更宣布它的最新一代量子計算機本源悟空不僅完成了國內3萬多項計算任務，還開放給全球科學家，至今已有30多個訪問得到批準，其中有相當比例的申請要求來自美國科學家，相比之下美國則沒有開放量子計算。

這凸顯出中國對于自己的量子計算技術擁有充分的信心，敢于讓美國科學家來驗證相關的技術，量子芯片將成為中國實現(xiàn)芯片技術取得領先優(yōu)勢的機會，而且中國已籌建了全球第一條量子芯片生產(chǎn)線，全數(shù)采用國產(chǎn)的設備，設備不再是中國量子芯片發(fā)展的卡脖子難題。

可以說Intel的CEO基辛格認為美國可以一直阻止中國發(fā)展先進芯片技術，甚至保持落后美國10年的狀況，完全是幻想，中國科技行業(yè)已多方布局，特別是量子芯片技術的發(fā)展將成為中國趕超美國的機會，這正是美國所擔憂的。