隨著芯片工藝的不斷進(jìn)步，光刻機(jī)地位也是越來(lái)越重要，因?yàn)楣饪虣C(jī)的精度，一定程度上決定了光刻工藝的精度，就決定了芯片的精度。

于是從普通的干式DUV光刻機(jī)，到浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，再到普通EUV光刻機(jī)，再發(fā)展成High-NA EUV光刻機(jī)……

一代比一代先進(jìn)，一代比一代昂貴。

普通的DUV光刻機(jī)，只要1000多萬(wàn)一臺(tái)，浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)4、5千萬(wàn)一臺(tái)，EUV光刻機(jī)要上億元一臺(tái)，而NA=0.55的High-NA EUV，要3億多美元一臺(tái)……

像臺(tái)積電已經(jīng)擁有的第一代EUV光刻機(jī)，上百臺(tái)了，這里的成本就是上百億美元了。

但是，問題來(lái)了，當(dāng)工藝再前進(jìn)，這些光刻機(jī)又要更新?lián)Q代，比如生產(chǎn)2nm及2nm以下芯片時(shí)，可能需要用到NA=0.55的High-NA EUV，如果又要買上百臺(tái)，就是300多億美元。

這對(duì)臺(tái)積電這樣的巨頭而言，也是一筆無(wú)法承受的開支，自己辛辛苦苦賺錢，最后全被ASML賺去了，真的是忍無(wú)可忍啊。

所以，臺(tái)積電一直在想辦法，讓舊光刻機(jī)能夠生產(chǎn)更為先進(jìn)的芯片。比如之前第一代7nm芯片，臺(tái)積電就沒有采用EUV光刻機(jī)，而是采用舊的DUV光刻機(jī)，這樣來(lái)節(jié)省成本。

直到第二代7nm芯片，臺(tái)積電才切換為EUV光刻機(jī)。

而近日傳出，2nm工藝以及之后的1.6nm工藝下，臺(tái)積電也沒打算換成High-NA EUV，臺(tái)積電要繼續(xù)使用舊的EUV光刻機(jī)，也就是NA=0.33的那一批。

這一批在臺(tái)積電手中非常多，如果能夠利用這些舊的，那么臺(tái)積電可以節(jié)省一大筆EUV光刻機(jī)的升級(jí)費(fèi)用，至少是上百億美元。

此舉對(duì)業(yè)界的影響其實(shí)是非常大的，如果臺(tái)積電帶頭不買新光刻機(jī)，對(duì)ASML，甚至對(duì)整個(gè)以光刻機(jī)為核心的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，都會(huì)造成巨大影響。

因?yàn)橐恢币詠?lái)，ASML的EUV光刻機(jī)不斷升級(jí)，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步，最終臺(tái)積電依賴EUV光刻機(jī)的升級(jí)，也持續(xù)推進(jìn)工藝的前進(jìn)，就真的上相當(dāng)于掀桌子了。

而臺(tái)積電的行業(yè)，也給我們帶來(lái)了啟示，那就是我們也可以深度挖掘光刻機(jī)的潛力，不要老是想著買最新的光刻機(jī)，在現(xiàn)有光刻機(jī)上，利用技術(shù)改進(jìn)，一樣可以制造出更先進(jìn)的芯片來(lái)。