投資25.24億元，MACOM擴建氮化鎵晶圓廠
2025-01-20
來源：國際電子商情
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1月14日，美國射頻廠商MACOM宣布擬投資3.45億美元（折合人民幣約25.28億元），對其位于馬薩諸塞州和北卡羅來納州的半導體晶圓制造工廠進行全面升級。
具體來看，公司馬薩諸塞州工廠將擴建潔凈室，升級現有4英寸晶圓（涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料）生產線，并引入先進的6英寸碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）制造技術。
同時，工廠的基礎設施，如暖通空調、水電及太陽能系統也將全面升級。北卡羅來納州工廠則將重點提升6英寸晶圓生產能力，安裝先進的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備，用以支持射頻碳化硅基氮化鎵（RF GaN-on-SiC）工藝的發展。
MACOM公司總裁兼首席執行官 Stephen G. Daly 表示：“這項投資計劃不僅是對MACOM現有制造能力的升級，更是對未來半導體技術發展的重大戰略布局。通過提升美國國內半導體制造能力，公司能夠更好地服務客戶，推動行業創新。”
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