IRFR1018EPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IRFR1018EPBF 是一款高效能N溝道MOSFET，封裝采用緊湊而廣泛應(yīng)用的TO-252-2L樣式，特別適合于空間有限及高密度電路板設(shè)計。此器件具有強(qiáng)大的性能參數(shù)，包括60V的最大漏源電壓(VDSS)，以及高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流(ID)，在保證高電流處理能力的同時，其優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻僅有6.5mΩ(RD(on))，確保了低功耗與高效率運作。廣泛應(yīng)用于電源管理、逆變器、開關(guān)電源等領(lǐng)域，是您優(yōu)化系統(tǒng)性能、提升能源利用率的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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