HUF76609D3S_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HUF76609D3S N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，適用于100V高電壓系統的中等電流應用。該器件提供100V的最大漏源電壓(VDSS)和15A連續漏極電流(ID)，確保在高壓環境下穩定高效運作。導通電阻RD(on)為100mR，雖非超低阻值，但在相應電流等級下仍能保持良好效能比。常用于開關電源、電機驅動、電池管理等場景，是尋求高性價比半導體解決方案的理想選擇。
