PHD71NQ03LT_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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PHD71NQ03LT 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經(jīng)濟(jì)高效的TO-252-2L封裝，專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其主要特性包括工作電壓VDSS高達(dá)30V，具備強(qiáng)勁的電流承載能力，最大連續(xù)電流ID高達(dá)50A；并且具備極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7.5mR，從而確保在大電流操作時(shí)保持高效能與低發(fā)熱。此款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及各類高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，是提高系統(tǒng)性能與可靠性的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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