Si2302CDS-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2302CDS-T1-E3 型號MOS管，采用小巧SOT-23封裝，內(nèi)含高性能N溝道技術(shù)，專為高效率電路設(shè)計(jì)。器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，能夠承載高達(dá)2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用于多種中小功率應(yīng)用場合。其導(dǎo)通電阻僅為48mR(RD(on))，確保了較低的功率損耗和較高的系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)及低壓開關(guān)電路中，是您提升電子設(shè)備性能的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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