Si2307BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2307BDS-T1-GE3 MOS管是一款采用SOT-23封裝的高性能P溝道MOSFET，專為緊湊型電子設計打造。該器件具有30V的高額定電壓VDSS和高達4.1A的連續電流ID，能夠在中高功率應用中展現穩定性能。其導通電阻低至48mR，有效提高能源利用效率。廣泛應用于電源管理、電池保護電路以及各類負載驅動場合，是實現高能效系統控制的理想半導體元件。
