SI4168DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/18.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI4168DY-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOS管，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高密度電子設計打造。該器件支持30V的最大漏源電壓（VDSS），可處理高達18A的連續電流，展現了卓越的電流承載能力。其獨特亮點是擁有低至5.5mR的導通電阻（RD(on)），助力系統提升能效，降低功耗，廣泛適用于電源轉換、電機驅動和其他需高效能、低阻抗半導體組件的領域。
