DMG6968UDM_SOT-23-6L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
DMG6968UDM NN溝道MOSFET采用經(jīng)濟(jì)高效的SOT-23-6L封裝，適合現(xiàn)代高密度電子設(shè)計。該器件支持最大工作電壓20V（VDSS），并能穩(wěn)定處理高達(dá)7A的連續(xù)漏極電流（ID），在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出卓越的電流承載能力。其出眾的導(dǎo)通電阻僅為14mR（RD(on)），有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、以及多種高電流、低阻抗需求的場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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