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三星/SAMSUNG 內(nèi)存芯片K4B1G1646I-BYNB DDR3適合眾多計(jì)算環(huán)境 容量1Gb 速率2133Mbps 溫度0~+85 96FBGA封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL8L80CM-MGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量32Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 315FBGA封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL5L50CM-MGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量128Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 315FBGA封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL5L50CM-BGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量128Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 496FBGA封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL4L40DM-BGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量96Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 496FBGA封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL3L30CM-MGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量32Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 315FBGA封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL3L30CM-JGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 441FBGA封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL3L30CM-BGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 496FBGA封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3LK2K20BM-BGCN 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài) 速率5500Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.5V 溫度-25~+85 LPDDR5 496FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UHE3D4AA-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UHE3D4AA-GHCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UHE3D4AA-GFCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UBE3D4AM-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UBE3D4AM-GHCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UBE3D4AM-GFCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U6E3S4AM-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U6E3S4AM-GHCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U6E3S4AM-GFCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U2E3S4AA-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U2E3S4AA-GHCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U2E3S4AA-GFCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3UH7H70AM-AGCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3UH6H60BM-AGCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3UH5H50AM-AGCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U8E3S4AD-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125LPDDR4X 200FBGA 封裝