采用PDFN3333封裝的N溝道MOS管HKTQ80N03,可用于負載開關和電機驅動等應用
MOS管有N溝道MOS和 P溝道MOS等,N溝道MOS是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個高摻雜濃度的N+區,并用金屬鋁引出兩個電極,分別作漏極D和源極S。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅絕緣層,在漏極和源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極作為柵極G。在襯底上也引出一個電極B,這就構成了一個N溝道增強型MOS管。本期,合科泰給大家介紹一款N溝道MOS管HKTQ80N03,它可用于開關電路和電機驅動等上面。
2024-04-10
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