據(jù)日本媒體報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周二，日本政府對(duì)外表示，將向西部數(shù)據(jù)和鎧俠（Kioxia）在日本共同新建NAND Flash閃存工廠的計(jì)劃，提供929億日元（約合6.8億美元、45.8億人民幣）的補(bǔ)貼。

日本經(jīng)濟(jì)貿(mào)易大臣萩生田光一在新聞發(fā)布會(huì)上表示：“我們相信，這筆投資將有助于穩(wěn)定日本先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。”“這將有助于美日在半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作關(guān)系。”

報(bào)道還稱，萩生田光一郎和日本外務(wù)大臣林芳正定于本周訪問美國(guó)，與美國(guó)同行討論兩國(guó)如何在涉及工業(yè)和經(jīng)濟(jì)政策的安全問題方面進(jìn)行進(jìn)一步合作。

今年3月下旬，西部數(shù)據(jù)和鎧俠宣布栓方將在日本巖手縣共同興建一座NAND Flash閃存芯片生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資或達(dá)1萬億日元（約493億元人民幣），計(jì)劃于2022年4月開始建設(shè)，2023年完工。