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三星羨慕嫉妒恨,臺積電3nm工藝,良率高達80%

2022-08-26 來源:互聯網亂侃秀
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關鍵詞: 高通 集成電路 半導體

眾所周知,自從進入5nm之后,大家就都吐槽三星工藝不行,良率低、功耗大,發熱大。并且還拿出各種事例來證明。


比如5nm的驍龍888,有火龍之稱。然后4nm的高通驍龍8Gen1,一樣是火龍,同時因為良率太低,被高通嫌棄,最后高通將訂單轉給臺積電,生產驍龍8+了。


而臺積電生產的驍龍8+,也是4nm工藝,但明顯比驍龍8Gen1性能強,功耗低,發熱小。



按照媒體的爆料,三星4nm工藝的良率只有35%左右。后來更是爆料稱,在3nm時,三星雖然采用了更先進的GAAFET晶體管技術,但良率卻更低了,只有10-20%,糟糕的令人發指。


所以客戶們都不愿意按晶圓片數來計算訂單了,只愿意按照成口芯片數來計算,因為良率低,成本太高,IC廠商們都抗不住。



那么三星的良率這么糟糕,臺積電的又怎么樣呢?近日是有媒體披露了一頁臺積電的PPT內容,上面顯示,N3E 工藝進展非常好,平均達到了80%以上。


如果屬實,那么就意味著臺積電的良率是三星的4倍,同樣條件下,三星生產一顆芯片,臺積電就能生產4顆,這差距就太大了,不知道三星看了會不會羨慕嫉妒恨?



三星一直想在在代工領域超過臺積電,特別是3nm時,更是憋了一口氣,率先量產,更是采用了GAAFET晶體管技術,就是想先領先臺積電一步,然后再慢慢把優勢擴大,最終超過臺積電。


但從現在這個良率來看,三星的路還很長,要努力的地方還有很多,畢竟良率差這么多,客戶選擇誰,這不是明擺著的么?


按照臺積電的資料,3nm工藝,功耗降低 34%,性能提升18%,晶體管密度也可以提升至少18%,明年全面量產,就看到時候與三星相比,究竟誰更厲害了。



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