在日本研發(fā)成功無需光刻機的NIL工藝之后，近日美國一家企業(yè)Zyvex Labs 也宣布推出無需ASML的芯片制造工藝，并且制造工藝可達到0．768nm，打破了當(dāng)前光刻機預(yù)期的1．8nm工藝極限，這對于ASML來說無疑是重大打擊。

全球各個經(jīng)濟體研發(fā)無需光刻機的工藝，在于當(dāng)下的光刻機實在太貴了，第一代EUV光刻機的價格達到1．2億美元，第二代EUV光刻機達到4億美元，昂貴的芯片制造設(shè)備正在快速推高芯片制造的成本。

此前臺積電曾計劃量產(chǎn)的3nm工藝最終沒有一個客戶接受，除了該工藝量產(chǎn)時間晚、性能不達標(biāo)之外，還在于它的成本太高了，之前愿意采用該工藝的客戶僅有Intel和蘋果；至于三星的3nm工藝則沒有公開客戶，普遍認(rèn)為采用了三星3nm工藝客戶規(guī)模也不會太大。

如此情況下，芯片行業(yè)已開始探索無需光刻機的芯片制造工藝，進而降低芯片制造的成本。日本無疑是開創(chuàng)者，日本開發(fā)的NIL工藝已投入實際生產(chǎn)，被鎧俠用于生產(chǎn)存儲芯片，近期日本方面宣布NIL工藝已推進至10nm以下，預(yù)計NIL工藝可以推進至5nm。

如今美國的Zyvex也宣布推出了無需光刻機的芯片制造工藝，意味著通過技術(shù)變革是可以在當(dāng)前以光刻機作為主要芯片制造設(shè)備的工藝有更多途徑，尤為可喜的是Zyvex的工藝可以做到比以ASML的第二代EUV光刻機所能達到的1．8nm更先進，這可能會要了ASML的命。

其實ASML稱霸光刻機市場也不過是自2008年開始，此前光刻機市場的兩強是日本的佳能和尼康，ASML通過與臺積電研發(fā)浸潤式光刻機，共同取得了巨大的成功，ASML成為光刻機市場的老大，臺積電則在芯片制造工藝居于全球領(lǐng)先水平，而日本的佳能和尼康則迅速衰落。

ASML的崛起其實也證明了技術(shù)的變革可以迅速成就一家企業(yè)，當(dāng)然也會導(dǎo)致原來的贏家迅速衰落，同樣的如今隨著芯片制造技術(shù)的變革，那么ASML也是有可能迅速衰落的，正所謂后浪推前浪，前浪死在沙灘上。

ASML發(fā)展的浸潤式的光刻機如今也已有近20年時間了，這近20年時間，ASML一直沿著浸潤式光刻機的方向發(fā)展，并未有取得新的技術(shù)變革，然而正如上所述延續(xù)這條技術(shù)路線，導(dǎo)致芯片制造工藝的成本越來越高，到如今已經(jīng)高到太多芯片企業(yè)已無法承受的地步。

日本研發(fā)NIL工藝和美國Zyvex研發(fā)的無需光刻機的芯片制造工藝，意味著全球芯片制造技術(shù)又已經(jīng)到了變革的前夜，隨著新的芯片制造技術(shù)到來，ASML的光刻機業(yè)務(wù)或許也就到了終結(jié)的時候了，ASML或許也將迅速步佳能和尼康的后塵而衰落。

日本研發(fā)NIL工藝和美國Zyvex研發(fā)先進工藝，對于中國芯片制造業(yè)來說無疑是重大啟發(fā)，意味著推進無需光刻機的制造工藝正日益成熟，中國完全可以撇開ASML研發(fā)類似的無需光刻機的工藝，一旦中國取得成功，那么中國芯片制造業(yè)將可以實現(xiàn)彎道超車，這或許會讓ASML瑟瑟發(fā)抖吧。