長江存儲繞彎128層NAND禁令限制，傳120層NAND新品已送交客戶認(rèn)證。韓青秀攝

美國近期晶片禁令再升級，中美科技戰(zhàn)對峙煙硝瀰漫，記憶體禁令限制維持不變，但對長江儲存等中系代表廠商的金箍咒預(yù)料短期將難再放寬。

業(yè)界透露，為了避開美國對128層以上NAND Flash設(shè)備出口的限制，長江存儲另闢蹊徑尋覓出路，以“五臺山”為產(chǎn)品命名的秘密武器，刻意將層數(shù)堆疊降至120層，但升級原有Xtacking結(jié)構(gòu)，I/O速度堪比其他NAND原廠200層以上性能。

近期新產(chǎn)品已陸續(xù)送樣驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2024年初將展開量產(chǎn)，未來120層NAND將成為重點(diǎn)推動的營運(yùn)主力。

長江存儲2022年后起直追，推出旗艦232層3D NAND晶片，越級挑戰(zhàn)記憶體大廠如三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、鎧俠（Kioxia）等。

但美國大刀開鍘，美系設(shè)備供應(yīng)商受到出口管制規(guī)范，迅速停止供貨與相關(guān)服務(wù)，并在年底將長江存儲列入制裁實(shí)體清單，外界曾認(rèn)為，在缺乏設(shè)備商技術(shù)支援下，長江存儲2024年起恐將淡出3D NAND市場競爭。

供應(yīng)鏈透露，為了規(guī)避美國禁令的紅線，長江存儲開發(fā)Xtacking 4.0新架構(gòu)，將可望擺脫128層的限制，雖然長江存儲不愿再對外強(qiáng)調(diào)堆疊層數(shù)。

但據(jù)悉，“五臺山”新產(chǎn)品已從第3季底~第4季陸續(xù)送樣認(rèn)證，配合供應(yīng)鏈也積極進(jìn)行調(diào)整設(shè)計(jì)，雖然堆疊層數(shù)僅120層，但量產(chǎn)成熟后，不排除可繼續(xù)延伸堆疊至240層或以上，不僅繞彎突圍封鎖，且可持續(xù)提升成本競爭力。

供應(yīng)鏈預(yù)期，Xtacking 4.0架構(gòu)的120層NAND可望在年底推出，并有望從2024年第1季~第2季量產(chǎn)，屆時(shí)將可供應(yīng)128、256及512 Gb等晶片產(chǎn)品。雖然短期內(nèi)不會應(yīng)用在企業(yè)級儲存或高密度產(chǎn)品，但在消費(fèi)性電子應(yīng)用或手機(jī)品牌供應(yīng)鏈等領(lǐng)域，長江存儲必然將不會缺席。

長江存儲在禁令前，大量採購的微影機(jī)等設(shè)備均屬于頂級配置，且目前128層設(shè)備機(jī)臺均逐年攤提折舊成本，產(chǎn)品價(jià)格將具有競爭力，基于Xtacking 3.0架構(gòu)的128層NAND已穩(wěn)定量產(chǎn)出貨，未來武漢二廠將陸續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)量。預(yù)計(jì)2024年起將大量轉(zhuǎn)換至120層NAND產(chǎn)品，成為美國禁令限制下的主力制程。

長江儲存的Xtacking技術(shù)原理，是將晶圓獨(dú)立加工I/O及記憶單位操作的週邊電路，儲存單元則在另一片晶圓獨(dú)立處理，并將兩片晶圓進(jìn)行黏合，不同于傳統(tǒng)NAND原廠堆疊。

Xtacking 3.0架構(gòu)進(jìn)一步提高CMOS元件的性能和I/O速度，232層堆疊NAND可擁有2400MT/s 的傳輸速度。據(jù)傳，最新4.0架構(gòu)性能將與其他NAND原廠200層以上的產(chǎn)品表現(xiàn)相當(dāng)。

業(yè)界指出，早在半年前，長江存儲的初期樣品曾一度流出，韓系記憶體大廠曾詳細(xì)進(jìn)行分析，當(dāng)時(shí)對于性能表現(xiàn)與技術(shù)架構(gòu)大為震驚。不過長江存儲直到近期才正式向客戶提出送樣驗(yàn)證，預(yù)期量產(chǎn)品質(zhì)和性能驗(yàn)證結(jié)果，將在2024年初較為明朗。

但無論初期量產(chǎn)品質(zhì)表現(xiàn)如何，在中國半導(dǎo)體國產(chǎn)化推動浪潮下，中系品牌及模組業(yè)者必然將大力支持導(dǎo)入，長江存儲將在中國內(nèi)需市場取得無可取代的主導(dǎo)地位。