超赫科技制造高線性功率放大器，兼顧通訊品質與節(jié)能。超赫科技

超赫科技作為無線通訊器件領域技術開發(fā)者，著重于功率放大器半導體元件優(yōu)化，主要使用三五族化合物半導體的電晶體，包括氮化鎵HEMT（GaN HEMT）、砷化鎵pHEMT（GaAs pHEMT），已于產業(yè)技術瓶頸上有重大突破。過去在無線通訊領域中，精準的訊號傳遞與高效率、節(jié)能省電背道而馳，無法兩全其美，最根本的解決之道即是提升用于設計功率放大器之功率元件的線性度。

高線性的功率放大器是許多高資料傳輸速率無線通訊系統(tǒng)與應用的關鍵零組件，用以維持精準的訊號傳輸，對于不失真的訊號放大與傳輸非常重要，此外亦可達到高資料傳輸速度、延長電池使用時間、節(jié)能省電、避免系統(tǒng)過熱及降低成本，對于IC設計工程師來說則相對友善，可用更小的元件來達到目標規(guī)格。

高線性的功率電晶體系統(tǒng)與應用包含無線射頻通訊系統(tǒng)、廣播、測試與量測設備、醫(yī)療影象系統(tǒng)、工業(yè)測試儀器與控制系統(tǒng)、太空與國防系統(tǒng)。任何需要精準訊號傳輸、放大的系統(tǒng)或應用，皆需將高線性的功率電晶體視為極為重要的元件，這些元件在廣泛的工業(yè)與科技應用中，可維持訊號完整且受最小干擾。

過去產業(yè)制造的功率放大器線性度較差，然而超赫科技具功率元件設計能力，從磊晶結構著手，考量產業(yè)需求與材料物理特性，設計出有別于過去的特殊磊晶結構，依此特殊磊晶結構制造出來的功率元件，因線性度高，對放大后的射頻訊號不會產生三階互調干擾。

超赫科技的氮化鎵HEMT（GaN HEMT）功率放大器元件，在操作頻率28GHz、Class A的條件下，可測得的量測結果OIP3-OP1dB為15 -19 dBm，與目前已發(fā)表且最佳之量測結果OIP3-OP1dB為12 dBm相比，可得知超赫科技的功率放大器元件線性度相當高。這表示超赫科技的功率元件在誤差向量幅度、輸出功率、功率轉換效率、增益等表現(xiàn)上都更為出色，為5G毫米波、Sub 6 GHz、固定無線寬頻、Ku頻段衛(wèi)星與Ka頻段衛(wèi)星、WiFi 6E、WiFi 7、雷達等通訊設備帶來更強大的效能。

超赫科技設計的特殊磊晶結構已專利布局海內外7個國家。其中，中華民國之專利申請案已取得專利證書，其他6個國家之專利申請案皆已進入最后審查階段，獲取專利證書指日可待。除海內外專利布局以外，超赫科技亦攜手國內外三五族半導體大廠，導入所研發(fā)的特殊磊晶與制程，未來也將持續(xù)擴大合作技術范疇，讓更多廠商一同參與，共同創(chuàng)造產業(yè)共存共榮，并邁向通訊領域的下一個時代。