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阿斯麥和IMEC聯(lián)合光刻實驗室啟用:最早2025年大量生產(chǎn)High NA EUV

2024-06-06 來源:快科技
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關(guān)鍵詞: 光刻機 存儲芯片 半導體

據(jù)媒體報道,比利時微電子研究中心(IMEC)與阿斯麥(ASML)宣布在荷蘭費爾德霍芬(Veldhoven)開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室(High NA EUV Lithography Lab)。


該實驗室經(jīng)過多年的精心構(gòu)建與集成,現(xiàn)已全面準備就緒,將為全球領(lǐng)先的邏輯和存儲芯片制造商以及先進材料和設(shè)備供應商提供尖端技術(shù)支持。


實驗室內(nèi)的核心設(shè)備為一臺原型高數(shù)值孔徑EUV掃描儀(TWINSCAN EXE:5000),以及與之配套的處理和計量工具,這些工具將共同助力未來芯片制造的突破。


此次聯(lián)合實驗室的開放,被視為High-NA EUV技術(shù)大批量生產(chǎn)準備過程中的重要里程碑。業(yè)界預計,隨著該技術(shù)的不斷成熟和普及,將在2025-2026年期間迎來大規(guī)模的量產(chǎn)應用。


值得一提的是,阿斯麥此前已公開展示了最新一代的High NA EUV光刻機。這款光刻機體積龐大,相當于一臺雙層巴士,重量更是高達150噸。


由于其龐大的體型和復雜的組裝過程,該設(shè)備需要被分裝在250個單獨的板條箱中進行運輸,顯示了其在制造和運輸過程中的非凡挑戰(zhàn)。


盡管High NA EUV光刻機的制造成本高昂,據(jù)透露其售價高達3.5億歐元(約合人民幣27億元),但其在半導體制造領(lǐng)域的價值無可估量。它將成為全球三大晶圓制造廠實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。


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