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三星M471A5244CB0-CTD 無(wú)緩沖小型雙列直插式存儲(chǔ)模塊 比普通 DIMM 小 4GB 1R x16 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA

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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存 KM2P8001CM-B518 64 GB UFS2.1 48 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存 KM3P6001CM-B517 64 GB eMMC 48 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存 KM5C7001DM-B622 64GB UFS2.1 32Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

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三星M391A4G43MB1-CTD帶錯(cuò)誤檢查和糾正的無(wú)緩沖雙列直插式存儲(chǔ)模塊32GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 288FBGA

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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存 KM5H80018M-B424 64 GB UFS2.1 24 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存 KM8V8001LM-B813 128GB UFS2.1 80 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

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三星KLM8G1GETF-B041 閃存芯片 移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動(dòng)設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLMAG2GESD-B03P 閃存芯片 移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動(dòng)設(shè)備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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