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聯發科中端芯片單核性能弱,凸顯技術劣勢,或助力高通重奪優勢

2022-05-17 來源:網絡整理
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關鍵詞: 聯發科 芯片 高通

今年可謂聯發科高張之年,自2020年在全球手機芯片市場擊敗高通之后,它的最大遺憾就剩下高端市場了,然而高通這兩年的高端芯片都存在功耗問題,由此為聯發科提供了機會,而聯發科也以自己芯片的出色性能和功耗成功在高端市場突圍,如今聯發科希望在中端芯片市場再壓高通一頭。

在中端芯片市場,聯發科以天璣8000對高通的神U驍龍870,天璣8000采用了ARM性能更強的A78核心,工藝為臺積電的5納米;驍龍870則采用了ARM更舊的A77核心,工藝為臺積電更舊的7納米。

在諸多優勢之下,天璣8000理應超越高通的驍龍870才是,然而現實讓人錯愕,從Geekbench5的測試數據可以看到驍龍870的單核性能達到998分,天璣8000的單核性能只有928分;當然聯發科的天璣8000在多核性能方面肯定遠超驍龍870。

聯發科過于重視多核性能,可能在于它希望在跑分方面取得優勢,畢竟多核性能一直都是聯發科的強項,然而如今業界都認為多核性能對于手機來說不是太重要,而單核性能更重要,似乎聯發科再次上演跑分沒輸過、體驗沒贏過。

這也顯示出高通在核心調校方面,技術稍勝聯發科一籌,在落后的高性能核心和工藝之下,驍龍870竟然有如此出色的表現,如此隨著高通回歸臺積電,聯發科在高端芯片市場暫時取得的優勢將成為泡影。

高通連續兩代高端芯片都出現發熱問題,業界普遍認為是因為三星的5nm以及改良版的4nm工藝不過關所致,早前臺媒digitimes分析了Intel、臺積電、三星的工藝,以晶體管密度為參數,發現Intel的7nm工藝與臺積電的5nm、三星的3nm工藝接近,顯示出三家芯片制造企業在先進工藝方面的技術差異。

如此業界對于臺積電生產的驍龍8G1+更為期待,驍龍8G1+和天璣9000采用同樣的核心架構,采用同樣的臺積電4納米工藝,在高通更強的調校技術之下,CPU性能或將反超天璣9000;事實上此前由三星生產的驍龍8G1雖然功耗不太理想,但是在跑分方面也沒輸給天璣9000太多,證明高通在技術方面確實有一些優勢。

高通的另一大優勢是它的自主研發的GPU,它的Adreno GPU性能居于安卓陣營之首,其他安卓芯片企業包括聯發科都采用ARM的Mali公版核心,在GPU性能方面確實比高通弱不少,依靠更強的自主GPU和基帶技術,高通或能由此翻身挽回臉面。

其實這也是安卓芯片的悲哀吧,如今的安卓芯片都類似于組裝芯片企業,它們的CPU都采用ARM的公版核心,在性能方面已很難做出差異,決定性能的關鍵在于是否采用臺積電的先進工藝,失去話語權的安卓芯片日益淪落。

中國手機企業對于高通和聯發科其實也是左右搖擺,它們不希望任何一家取得絕對優勢,因此在2021年Q2之前主要支持聯發科,推動聯發科在全球手機芯片市場占有的市場份額曾提升至43%,但是到了去年Q4中國手機又稍微偏向高通,于是高通的市場份額回升至三成以上、聯發科的市場份額則徒然降至33%。



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