眾所周知，光刻機(jī)是當(dāng)前晶圓廠商們制造芯片不可缺少的產(chǎn)品，而EUV光刻機(jī)，則用于7nm及以下的芯片制造，更是核心中的核心。

不過EUV光刻機(jī)，只有一家廠商能夠制造，那就是荷蘭的ASML。所以EUV光刻機(jī)，是被監(jiān)管的，比如中國大陸、俄羅斯等國家，有錢也是買不到的，美國不準(zhǔn)賣，美國不允許中國大陸、俄羅斯等國家，能自己制造出7nm及以下的芯片，搶自己的飯碗。

所以在當(dāng)前情況下，不管是中國，還是俄羅斯等國家，要想生產(chǎn)7nm及以下的芯片，EUV光刻機(jī)是必須自己研發(fā)并生產(chǎn)了來。

當(dāng)然，如果有其它技術(shù)方案，不用EUV光刻機(jī)，也能夠制造出7nm及以下的芯片，那當(dāng)然更好，但顯然目前還沒有。

之前俄羅斯計(jì)劃，采用X射線，進(jìn)行無掩膜式光刻，來繞開EUV光刻機(jī)，實(shí)現(xiàn)7nm及以下芯片的制造。

這個(gè)技術(shù)采用的是波長(zhǎng)介于0．01nm至10nm之間的X射線，然后直接在晶圓上進(jìn)行光刻，由于X射線比13．5nm的極紫外線波長(zhǎng)更小，從而精度更高，理論上可以搞定7nm，甚至5n、3nm、2nm芯片光刻，但目前并沒有實(shí)現(xiàn)。

而近日，俄羅斯又提出了另外一種技術(shù)方案，來搞定7nm芯片的光刻，并計(jì)劃在2028年實(shí)現(xiàn)。

這項(xiàng)技術(shù)采用的是微影光刻技術(shù)，計(jì)劃使用大于600W的光源、曝光波長(zhǎng)為 11．3nm（EUV 波長(zhǎng)為13．5nm）的光線來進(jìn)行光刻，

俄羅斯計(jì)劃是2024年推出首次產(chǎn)品，然后2026年可以量產(chǎn)芯片，到2028年推出終極版，然后可以用于大規(guī)模芯片制造。

按照業(yè)內(nèi)人士的說法，如果俄羅斯的這種產(chǎn)品研發(fā)成功，是可以取代EUV光刻機(jī)的，不過缺點(diǎn)是產(chǎn)能會(huì)低于EUV光刻機(jī)，畢竟功率會(huì)小一些，但也因?yàn)楣β市?，所以工具成本?huì)更低一點(diǎn)。

那么就看2024年俄羅斯能不能率先推出這種設(shè)備了，如果能，那么2028年有望成功，如果2024年推不出來，那么更遠(yuǎn)一點(diǎn)的目標(biāo)肯定也完不成。

說真的，我們還是蠻希望俄羅斯成功的，雖然感覺上也不太靠譜，畢竟一旦俄羅斯成功了，我們應(yīng)該可以共享這項(xiàng)技術(shù)。