摩爾定律是英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出來的，其核心內(nèi)容為：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。

過去的這幾十年，半導體確實按照摩爾定律走的，每2年內(nèi)，晶體管密度就要提升一倍。

但是當芯片工藝到了5nm之后，大家發(fā)現(xiàn)摩爾定律開始失效了，因為5nm時，晶體管密度已經(jīng)非常高了，很難再在2年內(nèi)，翻一番了。

而當芯片工藝達到3nm、2nm后，前路似乎已經(jīng)斷了，因為大家認為硅基芯片的物理極限，可能也就是1nm，工藝到頂，不可能再微縮了，那么晶體管密度也就無法再提升了。

于是眾多的廠商，都在想辦法，為摩爾定律續(xù)命。有小芯片技術的，有3D封閉的技術的，都是想再次提升晶體管密度，讓摩爾定律能夠延續(xù)。

近日，英特爾也發(fā)布了多項突破性研究成果，并最終實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管，并表示，這些新技術在未來十年內(nèi)將持續(xù)推進摩爾定律。

英特爾的新技術是什么技術？主要是一種3D封裝技術的新進展，英特爾稱之為新的3D混合鍵合（hybrid bonding）封裝技術，這種技術可以無縫集成芯粒，可將密度再提升10倍。

這樣就算芯片工藝無法再提升，已經(jīng)到頂了，英特爾還是可以用這種全新的封裝技術，繼續(xù)提升晶體管的密度，甚至在單個封裝中集成一萬億個晶體管。

此外，英特爾還通過材料創(chuàng)新找到了可行的設計選擇，使用厚度僅三個原子的新型材料，從而超越RibbonFET，推動晶體管尺寸的進一步縮小，這樣也能夠提升晶體管密度。

當然，現(xiàn)在還只是理論上可行，至于最后行不行，還得看英特爾最后的技術了。如果英特爾真的在這些新技術上支棱起來了，說不定真的可以追上臺積電、三星。