前段時間，有媒體報道稱，哈爾濱工業大學公布了一項“高速超精密激光干涉儀”研發成果，并獲得了首屆“金燧獎”中國光電儀器品牌榜金獎。

然后各種沸騰體的自媒體就開始寫了，這是國產光刻機技術的大突破，通過這個技術，我們就能夠實現7nm芯片的制造了等等，大家集體沸騰……

那么問題來了，這究竟是什么技術？真的能助我們的光刻機技術，從此進入7nm？

先看官方說明，介紹是這么寫的，突破系列核心測量方法和工程化關鍵技術，解決了該領域存在的測不準、測不精、測不快的核心難題。

這套系統用于確保掩膜工作臺、雙工作臺和物鏡系統之間復雜的相對位置，實現光刻機的整體套刻精度，只字沒提什么7nm、5nm，或者EUV光刻機等，不知道某些自媒體從哪里得出來的結論？擁有這個技術，就馬上實現7nm了？

我們知道光刻機由三個核心部分組成，一個是光源，一個是物鏡系統，一個是工作臺。

拿目前上海微電子最強的國產光刻機來說，屬于DUV光刻機，是第四代光刻機，使用的是193nm的紫外線，工作臺使用的是華卓精科的雙工作臺。物鏡系統我不清楚，也沒查到相關資料，只聽說是進口的。

而從當前這臺193nm光刻機再升級的話，進入下一代光刻機，要進入的是第五代的ArFi浸潤式光刻機，其與現在的光刻機相比，光源、工作臺基本都一樣，但最重要的就是物鏡系統的改變。

浸潤式光刻機，需要在硅晶圓上面再加一層水為介質，讓193nm的光線通過水折射后，變成134nm波長的光，從而實現更高的分辨率。

而這個浸潤式物鏡系統涵蓋了光學、機械、計算機、電子學等多個學科領域最前沿的技術。目前只有德國、日本有這整套技術，不過日本、德國都不對中國出口，而國產還暫時替代不了，這個是當前真正的難點。

如果搞不定物鏡系統，那么我們就要被限制在當前這種193nm的干式光刻機上，而物鏡系統突破了，就能進入浸潤式光刻機，就能夠實現7nm的光刻精度了。

而哈工大的這項技術，是用于掩膜板、物鏡系統、工作臺之間的位置對應控制的，用控制光線刻錄芯片的精度的，屬于關鍵技術之一，可以用于所有的光刻機，包括EUV光刻機，而不是有了它，我們就可以突破浸潤式的物鏡系統的，更不是單純為國產光刻機的突破而突破的。

所以少聽某些自媒體扯淡，自己都沒搞清楚原理，然后就制造各種沸騰體文章，讓大家莫名其妙的沸騰，實事求是才是正道。