眾所周知，目前國(guó)內(nèi)芯片制造能力最強(qiáng)的中芯國(guó)際，其工藝制程在2019年就達(dá)到了14nm，甚至還有很多網(wǎng)友表示，可能早有了12nm等，只是秘而不宣。

當(dāng)然，這種沒對(duì)外公開的，我們就不討論了，有沒有，誰也不清楚，我們就只能當(dāng)他沒有，因?yàn)闆]對(duì)外宣布的話，肯定是無法大規(guī)模量產(chǎn)的。

也正因?yàn)橛辛?4nm工藝，所以很多網(wǎng)友表示，其實(shí)中國(guó)芯并不是特別怕制裁，因?yàn)槟壳叭?8nm以上工藝的芯片，都占75％以上，而14nm以上工藝的芯片，至少占了80％以上。

已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了14nm后，就算被制裁，也能滿足80％以上的芯片制造，再加上3D封裝，Chiplet、芯片堆疊等技術(shù)，可以部分彌補(bǔ)工藝帶來的影響，說不定用多塊14nm的芯片進(jìn)行堆疊封裝后，能夠媲美7nm、5nm呢。

說真的，想法很好，但大家要認(rèn)清一個(gè)現(xiàn)實(shí)，那就是我們的真實(shí)芯片制造能力是建立全部國(guó)產(chǎn)化的設(shè)備上的，如果建立在進(jìn)口的設(shè)備上的，那么這種能力是空中樓閣，一旦被全面制裁，直接就會(huì)趴下。

那么我們的真實(shí)芯片能力是多少？我說一個(gè)數(shù)字，可能大家都無法接受，那就是只有90nm。

這個(gè)90nm是怎么來的，是基于當(dāng)前的全國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備后，能夠?qū)崿F(xiàn)的芯片制造工藝，而這個(gè)工藝，取決于當(dāng)前最落后的國(guó)產(chǎn)設(shè)備。

這個(gè)最落后的國(guó)產(chǎn)設(shè)備，相信我不用多說，大家都清楚，那就是光刻機(jī)，目前國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的能力就是90nm。

估計(jì)很多人還是不信，說不是很多自媒體說通過2次曝光可以實(shí)現(xiàn)45nm，然后3次曝光可以實(shí)現(xiàn)22nm，怎么變成90nm了？

自媒體的話，就別太相信了，如下圖所示，目前ASML的ArF光刻機(jī)最高都只能夠?qū)崿F(xiàn)精度65nm，必須要進(jìn)入到ArFi光刻機(jī)，才能低于65nm以下，目前國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)還是這種ArF光刻機(jī)，你就知道所謂的22nm有多假了。

事實(shí)上，除了光刻機(jī)還在90nm外，國(guó)內(nèi)還有一些半導(dǎo)體設(shè)備的工藝，處于65nm工藝的，比如涂膠顯影設(shè)備，還有光刻膠等等。

所以說真的，一旦像美國(guó)和西方國(guó)家制裁俄羅斯一樣，那么我們的真實(shí)芯片能力，就會(huì)只有90nm了，而不是14nm。

所以大家要保持清醒，目前形勢(shì)緊張，只有全國(guó)產(chǎn)化的能力，才是真正屬于自己的，依賴進(jìn)口設(shè)備的能力，關(guān)鍵時(shí)刻并不頂用，你覺得呢？