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未來兩三年將供不應求,碳化硅開啟“上車、逐光”雙通道加速跑

2023-04-17 來源:網(wǎng)絡整理
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關鍵詞: 碳化硅 芯片 新能源

4 月 14 日消息,紅旗研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部與中國電子科技集團第 55 研究所聯(lián)合開發(fā)的一汽首款電驅(qū)用 750V 碳化硅功率芯片近期完成樣品流片,正式進入產(chǎn)品級測試階段。


碳化硅技術是新能源電驅(qū)系統(tǒng)發(fā)展的核心驅(qū)動力之一,未來 5 年車用碳化硅功率模塊的年復合增長率將達到 38.3%,市場規(guī)模將達到 44.13 億美元。作為電驅(qū)系統(tǒng)功率模塊的核心器件,碳化硅功率芯片仍然處于被國外芯片企業(yè)壟斷的狀態(tài),成為限制我國新能源汽車快速發(fā)展的關鍵瓶頸。


紅旗自研750V 碳化硅功率芯片

紅旗功率電子開發(fā)部依托豐富的電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)應用經(jīng)驗,主導 750V 碳化硅功率芯片產(chǎn)品技術需求定義,聯(lián)合中電科 55 所,從結(jié)構設計、工藝技術、材料應用維度開展技術攻關,芯片比導通電阻達到 2.15mΩ?cm2,最高工作結(jié)溫 175℃,達到國際先進水平。



采用有限元仿真和工藝實驗相結(jié)合的方法,完成平面柵碳化硅芯片的元胞建模及結(jié)構優(yōu)化設計。開展 JFET 區(qū)結(jié)構參數(shù)優(yōu)化,使芯片在導通和阻斷性能之間取得最佳平衡;對終端結(jié)構進行設計優(yōu)化,提高終端保護效率,提升器件耐壓能力。

建立穩(wěn)定的碳化硅芯片薄片工藝,通過襯底減薄和激光退火的方法有效降低襯底電阻;采用柵介質(zhì)氧化及氧化后的氮化處理方法,降低界面態(tài)密度,完成一氧化氮退火工藝參數(shù)優(yōu)化及可靠性驗證,提高了溝道遷移率和閾值電壓穩(wěn)定性。

采用國產(chǎn)低缺陷襯底材料與高均勻性外延材料,進一步降低碳化硅功率芯片失效概率,提高芯片可靠性;應用可支持銀燒結(jié)工藝的表面金屬層材料,大大提升了芯片散熱效果,可支持高溫下的穩(wěn)定安全工作。


“上車、逐光”雙通道加速跑

為何集體看上了碳化硅?有業(yè)內(nèi)人士稱,在新能源汽車、光伏、電力電子等市場需求帶動下,全球碳化硅市場規(guī)模正在快速成長,投資產(chǎn)業(yè)鏈公司正當時。

“我們看到越來越多的車企開始使用碳化硅MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)模塊方案,需求增速非常快。”談起碳化硅“上車”,斯達半導董事長沈華告訴記者,在特斯拉之后,比亞迪和現(xiàn)代汽車都在部分車型上搭載了高性能碳化硅模塊,蔚來、小鵬等也計劃采用。

業(yè)內(nèi)普遍認為,碳化硅功率器件在新能源汽車領域具有顯著的性能等優(yōu)勢。“比如在主逆變器里,用碳化硅MOSFET可提高約5%的系統(tǒng)效率。”沈華介紹,由此,整車廠有兩個選擇:一是采用相同電池容量,續(xù)航里程可提升5%;二是設計相同的續(xù)航里程,但電池容量可減少5%。

新潔能董秘肖東戈表示,鑒于碳化硅功率器件可明顯提升新能源汽車的功率密度、能效和續(xù)航里程,多家新能源主機廠新車型在轉(zhuǎn)向800V系統(tǒng),需要采用1200V功率器件,碳化硅功率器件在這個電壓段優(yōu)勢明顯。后續(xù),隨著成本進一步下降,碳化硅器件會成為新能源車的主流配置。

“不同于過去簡單對比價格,客戶更多開始考慮系統(tǒng)成本。”聞泰科技企劃部部長鄧安明說,當前碳化硅功率器件的價格確實依然高于硅器件,但碳化硅器件的更高效率等優(yōu)勢,可能使整個系統(tǒng)的價格低于硅解決方案。

光伏則是碳化硅的另一個“主戰(zhàn)場”。肖東戈介紹,2021年,光伏市場應用約占全球碳化硅功率器件市場的25%。

“光伏行業(yè)邁入后1500V以及20A大電流時代,要建成更大組串進一步降成本,就需要降低組件工作電壓和提高電站的電壓等級,碳化硅的性能優(yōu)勢凸顯。”安芯投資總裁王永剛援引Wolfspeed數(shù)據(jù)介紹,采用碳化硅后,光伏逆變器系統(tǒng)轉(zhuǎn)化效率可以從96%提升到99%以上,能量損耗降低30%以上,功率密度增加50%,顯著提高循環(huán)設備的使用壽命,降低系統(tǒng)體積,節(jié)約系統(tǒng)成本10%。

多家機構看好碳化硅市場的高成長性。Yole預測,2021年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模約10億美元,預計到2025年將超過37億美元,年復合增長率超過34%。




產(chǎn)業(yè)鏈上下游不斷協(xié)同

我國汽車功率半導體發(fā)展起步較晚,產(chǎn)業(yè)鏈尚不健全,上游的襯底、外延、晶圓、封裝、測試,中游的電機、電控,下游的整車,以及關鍵材料、裝備、軟件、工藝等產(chǎn)業(yè)基礎還沒有形成協(xié)同創(chuàng)新、協(xié)同發(fā)展的局面。

為抓住機遇,共促汽車功率半導體發(fā)展,形成競爭優(yōu)勢,在工信部裝備一司、電子司的指導下,在產(chǎn)業(yè)鏈主要企業(yè)的支持下,汽車功率半導體分會在汽車芯片創(chuàng)新聯(lián)盟組織下正式設立,以促進功率半導體行業(yè)發(fā)展為總體目標,圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構建創(chuàng)新鏈促進產(chǎn)業(yè)協(xié)同合作,加快關鍵技術的快速突破,構建有競爭力的車規(guī)級功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈。

“值得一提的是,近年來,以碳化硅、氮化鎵等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關注。”張真榕還向記者表示,碳化硅功率器件受下游新能源汽車等行業(yè)需求拉動,市場規(guī)模增長快速。

根據(jù)IHS數(shù)據(jù),受新能源汽車行業(yè)龐大的需求驅(qū)動,以及光伏風電和充電樁等領域?qū)τ谛屎凸囊筇嵘挠绊懀A計到2027年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將超過100億美元,2018-2027年的復合增速接近40%。

博世中國執(zhí)行副總裁徐大全表示,碳化硅芯片在未來2至3年都呈現(xiàn)供不應求的態(tài)勢,博世持續(xù)在中國尋找合作伙伴來布局新產(chǎn)能。

“碳化硅處于汽車應用的起步階段,需不斷提升碳化硅功率器件的生產(chǎn)制造良品率,滿足車規(guī)級量產(chǎn)質(zhì)量要求。”一汽研發(fā)總院功率電子開發(fā)部部長趙永強則表示,碳化硅應用于車輛屬于系統(tǒng)工程,需要整車、零部件、原材料生產(chǎn)企業(yè)的全產(chǎn)業(yè)鏈共同合作,中國整車同行給國產(chǎn)半導體試錯中改進的機會。


碳化硅芯片加速降成本

從去年以來,新能源汽車行業(yè)發(fā)展迅速,芯片需求大增,導致缺芯問題影響了產(chǎn)業(yè)的正常發(fā)展,也成為不少企業(yè)的困擾。



對此,奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝向《證券日報》記者表示,今年結(jié)構性缺芯情況還存在,功率半導體只是其中一種,計算機類、控制類等也都存在短缺情況,半導體投資需要18-32個月的建設周期,從去年開始很多半導體廠商開始建廠,但到2025年才能真正釋放出產(chǎn)能。

郭宇輝還提到,目前電動車前后驅(qū)都使用碳化硅功率半導體的成本太高,行業(yè)共識是只有20萬元以上的電動車才會用碳化硅功率半導體。目前國內(nèi)碳化硅原材料都是來自進口,國內(nèi)還沒有大規(guī)模供應。

據(jù)了解,三安半導體投資160億元的長沙碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合超級工廠,2021年6月一期工程投產(chǎn),6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能爬坡至20萬片/年,二期工程預計2023年完工,達產(chǎn)后年產(chǎn)能50萬片6英寸碳化硅晶圓。

張真榕向記者表示,行業(yè)結(jié)構性缺芯確實存在,但這其中有危有機,公司也正在抓住這個機會,不斷降低碳化硅的成本,并加速規(guī)模化應用,三安碳化硅功率半導體有望在今年四季度正式“上車”。價格下降來源于創(chuàng)新,一是生產(chǎn)技術良率要提升,二是整個設備原材料的國產(chǎn)化和技術創(chuàng)新也會帶來成本降低。

郭宇輝也表示,具體到奇瑞方面的芯片應用,一方面是加速國產(chǎn)化,另一方面是保證供應鏈安全,在缺芯的時候能找到替代方案。



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