眾所周知，目前的芯片制造光刻機，分為很多種。比較常規的分法是G線、I線、KrF、ArF、ArFi、EUV光刻機這么6種。

為何會這么分呢？原因是這6種光刻機，采用不同波長的光源，然后可以制造的芯片工藝也不一樣，如下圖所示，一看大家就都懂的。

當然，目前最受大家關注的，主要還是ArF，ArFi，EUV這三種，也是目前需求最大的三種。

其中ArF是普通的干式DUV光刻機，采用193nm波長的深紫外線，所以稱為DUV光刻機。

ArFi與ArFi其實是差不多，也是193nm波長的深紫外線，也可以稱之為DUV光刻機，不過這種光刻機，在硅晶圓上采用了一層水來作為介質，而193nm波長的深紫外線，經過水折射后，等效于134nm的波長，所以也稱之為浸潤式光刻機。

ArF與ArFi只有一層水的差距，但也因為這一層水，可以制造的芯片就不一樣了。普通干式DUV光刻機，最小可以支持到65nm工藝。

而ArFi這種浸潤式光刻機，最小可以支持到7nm工藝，不過需要采用多重曝光技術，這些曝光技術，主要有LELE，LFLE，以及SADP、SAQP這4種，這里就不一一展開去談了。

以前ASML的DUV光刻機，也包括浸潤式光刻機，是可以賣給中國的。后來在今年9月份，荷蘭的芯片禁令執行，ASML的浸潤式光刻機中，只有NXT:1980Di這臺最老的能賣，新的型號都不能賣了，不過ASML表示它已經獲得了許可證，年內暫時還不受影響。

但近日，美國再次升級禁令，根據新的規則，這次ASML所有的浸潤式光刻機，都不能賣到中國來了，除非有許可證。

至于年內，ASML的許可證有沒有效，中國還能不能隨便買ASML的浸潤式光刻機，暫時還沒有確切消息，但從明年開始，肯定是任何浸潤式光刻機都不能賣了，除非ASML調整參數，進行閹割，以滿足美國禁令的要求。

美國為何這次針對浸潤式光刻機下手？原因很簡單，前面已經講過了，那就是浸潤式光刻機，經過多重曝光，最高可以支持7nm工藝。

而美國去年就想將中國芯片工藝鎖死在14nm的，誰知道今年Kirin9000S出爐，它等效于7nm，這明顯算是打臉美國了，于是美國趕緊升級，直接將浸潤式光刻機也禁了，美國不希望再有類似的事情發生。

那么，在這樣的情況之下，我們的7nm還有戲么？短時間之內肯定有戲，因為之前買的還能夠使用啊。至于很長一段時間之后，也許我們自己的ArFi光刻機有了突破呢？所以其實我們也不必太擔心，認真研究，努力突破，減少對國外設備的依賴，是我們的必由之路，按照這個目標一直走，一定會成功的。