基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝，對(duì)于給定RDS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩(wěn)定性和效率。級(jí)聯(lián)配置無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路，加快了產(chǎn)品上市速度。該器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中均具有出色的性能，為設(shè)計(jì)人員提供極大的靈活性。

NexperiaGaN戰(zhàn)略市場(chǎng)總監(jiān)Dilder Chowdhury解釋說：“鈦金級(jí)是80 PLUS?規(guī)格中最嚴(yán)苛的，滿載條件下要求達(dá)到>91%的效率（半載條件下>96%）。對(duì)于2 kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用，使用傳統(tǒng)硅器件來實(shí)現(xiàn)這種性能水平，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡(jiǎn)潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。”