記憶體大廠在CES期間大秀HBM的技術(shù)實(shí)力，看好高階制程將翻轉(zhuǎn)產(chǎn)業(yè)景氣走勢(shì)。康瓊之?dāng)z

記憶體產(chǎn)業(yè)復(fù)甦跡象明確，AI浪潮快速興起，各家記憶體大廠積極掌握先進(jìn)制程商機(jī)作為成長(zhǎng)動(dòng)能，隨著記憶體成為云端伺服器及AI終端應(yīng)用不可或缺的要角。

此次2024年CES期間的各大記憶體廠均以AI為聚焦重心，HBM、高速傳輸?shù)刃缕烦尸F(xiàn)百花齊放，率先搶攻記憶體從谷底翻身的成長(zhǎng)契機(jī)。

 

儘管各大記憶體廠仍背負(fù)營(yíng)運(yùn)虧損的壓力，但生成式AI採(cǎi)用高頻寬記憶體（HBM）推動(dòng)價(jià)格倍速翻漲，讓記憶體產(chǎn)業(yè)從過(guò)去標(biāo)準(zhǔn)化的量產(chǎn)規(guī)模競(jìng)爭(zhēng)，走向客制化的高技術(shù)含量競(jìng)爭(zhēng)。

近期市場(chǎng)傳出，大客戶NVIDIA提前支付數(shù)億美元預(yù)付款給SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），以確保2024年AI GPU搭配HBM3E的供貨穩(wěn)定，并降低記憶體業(yè)者財(cái)務(wù)及投資的壓力。

尤其以SK海力士2023年已在HBM領(lǐng)域搶先攻下一城，取得全球市佔(zhàn)逾5成的領(lǐng)導(dǎo)地位，而三星電子（Samsung Electronics）也緊追在后。

據(jù)傳，HBM3、HBM3E陸續(xù)結(jié)束產(chǎn)品測(cè)試，可望與NVIDIA簽訂供應(yīng)合約，兩家韓系記憶體廠不僅在HBM互別苗頭，交鋒戰(zhàn)場(chǎng)延伸至CES展會(huì)，并擴(kuò)大戰(zhàn)線至云端伺服器的記憶體介面CXL（Compute Express Link）的布局。

SK海力士在CES展示了HBM3E，號(hào)稱是業(yè)界最高的每秒1.18 TB的資料處理速度，滿足AI市場(chǎng)在快速處理海量資料的需求，與前一代產(chǎn)品相比，速度將提高了1.3倍，資料容量也提高1.4 倍，獨(dú)家開發(fā)的MR-MUF技術(shù)更是SK海力士的強(qiáng)調(diào)重點(diǎn)，提升散熱性能約10%。

SK海力士預(yù)計(jì)將于2024年上半年量產(chǎn)HBM3E，至于CXL透過(guò)擴(kuò)展記憶體和提高AI應(yīng)用性能受到關(guān)注，預(yù)計(jì)在AI時(shí)代下將與HBM3E發(fā)揮相乘的關(guān)鍵效益。

三星針對(duì)生成式AI的DRAM方案有三大領(lǐng)域，分別為12奈米32 Gb DDR5 DRAM、HBM3E以及CXL記憶體模組產(chǎn)品。

其中，32Gb DDR5 DRAM 是目前單晶片容量最大的DRAM產(chǎn)品，而CXL介面雖然過(guò)去推動(dòng)多年，但AI商機(jī)帶來(lái)新機(jī)會(huì)，三星認(rèn)為，透過(guò)在伺服器前端安裝CXL介面的模組產(chǎn)品，將能大幅增加每臺(tái)伺服器的記憶體容量，將適合用于處理大量資料的生成式AI平臺(tái)。

隨著生成式AI應(yīng)用逐漸地從云端資料中心擴(kuò)展至終端邊緣裝置，內(nèi)建AI功能的PC將在2024年先后登場(chǎng)推出，美光在CES展出的LPCAMM2記憶體被視為AI PC的最后一哩路，採(cǎi)用LPDDR5X DRAM，但更強(qiáng)調(diào)降低功耗及節(jié)省空間。

美光強(qiáng)調(diào)，LPCAMM2已開始送樣，預(yù)計(jì)于2024年上半年量產(chǎn)，將導(dǎo)入多家PC大廠的筆電新品。

不僅三大記憶體廠在CES大打AI商機(jī)，臺(tái)廠鈺創(chuàng)也在CES首度亮相4Gb DDR3 LRTDRAMTM(Long Retention Time Dynamic Random-Access Memory)，鎖定在AI應(yīng)用、KGD異質(zhì)整合封裝、車載等高溫應(yīng)用情境的創(chuàng)新型記憶體，以獨(dú)家首創(chuàng)的長(zhǎng)效資料保存技術(shù)為重點(diǎn)訴求。

由于AI應(yīng)用在高速運(yùn)算的需求下，傳統(tǒng)DRAM受限于先天物理特性，存取效能會(huì)隨著溫度上升而衰減。鈺創(chuàng)表示，4Gb DDR3 LRTDRAM可在攝氏122度的高溫下達(dá)到超過(guò)104毫秒的100%長(zhǎng)時(shí)保留，目前4Gb DDR3 LRTDRAM相關(guān)驗(yàn)證已經(jīng)完成，并開始送樣給客戶。