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比亞迪半導體:西安研發中心即將啟用,計劃發布全新 IGBT6.0 芯片

2021-05-17 來源:中電網
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從比亞迪半導體獲悉,比亞迪半導體在全國擁有五大研發及生產制造基地,分別是深圳、惠州、寧波、長沙、西安。

其中,位于西安的半導體研發中心,將配備近千人的研發團隊,是比亞迪半導體的全新研發基地。


比亞迪半導體表示,將充分利用西安在集成電路方面的人才資源、供應鏈資源及客戶資源,主要從事功率半導體、智能傳感器、智能控制 IC 等半導體產品的設計及服務。

繼 2018 年在寧波發布 IGBT4.0 芯片技術后,比亞迪半導體已打磨出一款更高性能的 IGBT6.0 芯片,并計劃于比亞迪半導體西安研發中心全新發布。

自 2002 年進入半導體領域以來,比亞迪半導體在 2009 年推出國內首款自主研發的 IGBT 芯片,2018 年推出 IGBT4.0 芯片。比亞迪半導體數據顯示,截止 2020 年底,以 IGBT 為主的車規級功率器件累計裝車超過 100 萬輛,單車行駛里程超過 100 萬公里。

比亞迪半導體透露,IGBT6.0 芯片采用新一代自主研發的高密度溝槽柵技術,相較同類產品在可靠性及產品性能上將實現重大突破。



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