由于光刻機供應的問題，中國芯片行業正在想方設法解決問題，除了繼續基于現有的硅基芯片技術發展之外，研發先進的芯片材料則是另一條提升先進芯片性能的途徑，在這方面中國已走在世界前列。

第三代芯片材料普遍被認為芯片技術變革的關鍵，第三代芯片材料可以大幅提升芯片性能并降低功耗，這將解決當下硅基芯片的瓶頸，為此中國和美國都在積極發展先進芯片材料。

第三代芯片材料之中，普遍認為碳化硅、氮化鎵有很大的發展前途，這類芯片材料擁有更低的導通電阻、能量轉換效率更高等優點，這些恰恰是當下硅基芯片所面臨的重大問題，可以有效提升芯片性能并降低能源損耗。

對于手機芯片來說，功耗已越來越成為提升性能的重大障礙，當前手機芯片為了控制功耗往往只能通過降頻來防止過熱；大型數據中心的能源中有約七成消耗在芯片的發熱以及散熱的空調系統上，這些都說明現有硅基芯片在功耗方面的問題。

隨著硅基芯片逐漸接近1納米的極限，也促使芯片行業盡快找到新的芯片材料以替代現有的硅基材料，而第三代芯片材料雖然已經能研發成功，只是成本實在太高，導致第三代芯片材料在應用方面發展較為緩慢，而中國在推進芯片材料方面已取得重大進展。

第三代芯片材料商業化存在兩大技術難點，一個是制作更大尺寸的晶圓難度較大，主要是這些材料太過脆弱了，中美都在力推6英寸以上晶圓的制成辦法，中國恰恰在這方面已取得成功，為第三代芯片材料商業化做好了準備。

另一個則是成本問題，這方面更是中國制造的拿手好戲，中國企業已將碳化硅晶圓價格降低七成，從2年前的4000美元每片降低到1200美元，成本的大幅下降，將加速了第三代芯片材料的商用。

在實際的商業化中，其實中國數年前就已開始推進這些材料的應用，諸如電動汽車、太陽能等方面，中國已做到了全球第一，第三代芯片材料的廣泛應用就為這些產業的成功提供了有力支持，隨著第三代材料的成本下降，中國這些新興產業可望進一步鞏固全球領先優勢。

由于海外限制供應先進光刻機，中國芯片行業當前能實現的最先進工藝為7納米，這與臺積電等的3納米工藝相比差了兩代，然而如果采用第三代芯片材料，工藝差距將瞬間被抹除，芯片價格還可以因此大幅下降，芯片白菜價將不再是想象。

中國在芯片技術方面探索多種路徑，在于中國擁有強大的基礎研發實力，可以迅速研發先進的芯片材料；中國擁有龐大的技術人才，這些人才為中國研發多種技術，再加上中國獨特的成本優勢，可以預期中國必將打破美國對中國芯片技術的限制。