一、產品概述

JSM2183S是高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動系列芯片，具有兩個非獨立傳輸通道。內部集成了高、低側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路、和防直通鎖定電路等保護電路，具備大電流脈沖輸出能力邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出電流能力最大可達4A，其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。JSM2183S采用SOP-8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。

二、核心產品特性

• 自舉工作的浮動通道

• 最高工作電壓為 700V

• 兼容 3.3 V, 5V 和 15V 輸入邏輯

• dV/dt 耐受能力可達±50 V/nsec

• Vs負壓耐受能力達-9V

• 柵極驅動電壓:10V到20V

• 高、低側欠壓鎖定電路

  --欠壓鎖定正向閩值8.9V

  --欠壓鎖定負向閾值 8.2V

• 防直通死區邏輯

  --內置 400ns 死區時間

• 芯片開通/關斷傳輸延時

  --Ton/Toff -130ns/130ns

• 高低側廷時匹配

• 驅動電流能力:

  --拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

• 符合 RoSH 標準

• SOP-8

三、性能全面升級：從參數突破到可靠性閉環，驅動能力再上新臺階

對于功率驅動芯片而言，“性能” 從來不是單一參數的比拼，而是電壓耐受、電流輸出、保護機制等多維度的綜合實力較量。JSM2183STR 在核心性能指標上的全面突破，讓它在高壓大電流場景中展現出遠超傳統方案的穩定性。

1. 高壓大電流雙加持，適配更復雜功率場景

在電機控制、逆變器等應用中，芯片的電壓耐受能力直接決定了系統的適用范圍。JSM2183STR 將最高工作電壓提升至700V，這意味著它能輕松應對工業設備、家電變頻中常見的高壓供電場景，即使在電壓波動較大的工況下，也能保持穩定運行。對比傳統方案，這一參數的提升讓系統在設計時無需額外增加電壓緩沖電路，不僅簡化了 PCB 布局，更降低了因電壓沖擊導致的器件損壞風險。

而在電流驅動能力上，JSM2183STR 更是交出了亮眼的答卷 ——拉電流 / 灌電流均達到 4.0A的峰值輸出。這一指標意味著它能直接驅動更大功率的 N 溝道 MOSFET/IGBT 器件，無需額外搭配驅動放大電路。在空調壓縮機、工業電機等需要大電流瞬間啟動的場景中，4A 的驅動能力可確保功率器件快速開通與關斷，減少開關損耗，提升系統整體效率。想象一下，當洗衣機進入高速脫水模式時，電機需要瞬間爆發大扭矩，JSM2183STR 的大電流輸出能力能精準控制功率器件的導通狀態，避免因驅動不足導致的 “卡頓” 或 “效率衰減” 問題。

2. 全鏈路保護機制，為系統安全上 “雙保險”

功率驅動場景中，“安全” 永遠是不可逾越的紅線。電壓驟降、高低側直通、過壓沖擊等突發狀況，都可能導致芯片燒毀甚至整個系統癱瘓。JSM2183STR 通過集成多重保護電路，構建了一套完整的 “可靠性閉環”，讓工程師無需再為復雜的外圍保護設計頭疼。

首先是高、低側欠壓鎖定電路的加持。芯片內置的欠壓鎖定功能，正向閾值電壓精準設定為 8.9V。當供電電壓低于這一閾值時，電路會立即觸發保護，切斷驅動信號輸出，防止因電壓不足導致功率器件工作在非安全狀態。更貼心的是，電路還設計了 0.7V 的欠壓遲滯，避免電壓在閾值附近波動時出現頻繁保護的 “誤動作”，確保系統在電壓恢復過程中平穩重啟。

其次是防直通死區邏輯的硬核防護。在高低側驅動場景中，若高側與低側功率器件同時導通，會導致電源直接短路，瞬間產生的大電流足以燒毀整個電路。JSM2183STR 通過內置死區時間控制，確保高側器件關斷與低側器件開通之間、低側器件關斷與高側器件開通之間存在一段 “安全間隔”，典型死區時間為 280ns。這一設計從根源上避免了 “直通短路” 風險，尤其在高頻開關的逆變器應用中，能顯著提升系統的長期可靠性。

此外，芯片還集成了過壓鉗位電路與超強的 dV/dt 耐受能力（達 + 50V/nsec）。在功率器件快速開關產生電壓尖峰時，過壓鉗位電路能將電壓限制在安全范圍；而高 dV/dt 耐受能力則確保芯片在劇烈電壓變化的環境中，仍能準確識別輸入信號，避免因噪聲干擾導致的誤觸發。這種 “軟硬結合” 的保護機制，讓 JSM2183STR 在復雜工況下的可靠性遠超傳統方案。

3. 高速響應無延遲，動態性能拉滿效率

在高頻功率變換場景中，芯片的動態響應速度直接影響系統的開關損耗與控制精度。JSM2183STR 在動態性能上的優化，讓它能完美適配高速開關需求。

芯片的開通 / 關斷傳輸延時均低至 130ns，這意味著從輸入控制信號到功率器件實際動作的 “響應時差” 被壓縮到極致。在電機變頻調速中，這種高速響應能讓控制算法更精準地調節電機轉速，減少轉速波動；在逆變器應用中，快速的開關響應可降低開關過程中的能量損耗，提升整機效率。同時，芯片的高低側延時匹配誤差控制在 50ns 以內，確保高側與低側驅動信號的時序一致性，避免因延時差異導致的功率失衡問題。

更值得一提的是，JSM2183STR 的Vs 負壓耐受能力達到 - 9V。在半橋、全橋拓撲中，高側浮動地（Vs）常會因功率器件開關產生負壓波動，若芯片負壓耐受能力不足，極易出現信號失真或損壞。而 - 9V 的耐受能力，讓它能輕松應對復雜拓撲中的電壓波動，為系統穩定運行再添一層保障。

四、應用范圍

• 電機控制

• 空調 / 洗衣機等家電設備

• 通用逆變器

• 微型逆變器驅動程序

該芯片憑借 700V 高工作電壓、4A 驅動電流及集成保護電路等特性，可穩定驅動 N 溝道高壓功率 MOSFET/IGBT，適配上述場景中的高壓功率轉換需求。

五、引腳功能描述

極限與環境參數

ESD 額定值

 推薦工作范圍

六、關鍵問題

1.問題：JSM2183STR 的核心驅動能力與電壓耐受能力如何？這對其應用場景有何影響？
答案：該芯片驅動電流能力為4A 拉電流 / 4A 灌電流，最高工作電壓達700V，Vs 負壓耐受能力 **-9V**，dV/dt 耐受能力 **+50V/nsec**。這些特性使其能穩定驅動高壓 N 溝道 MOSFET/IGBT，適用于電機控制、逆變器等高壓功率場景。

2.問題：芯片集成了哪些保護電路？各自的關鍵參數是什么？
答案：集成兩類核心保護電路：①高 / 低側欠壓鎖定電路，正向閾值均為8.9V，遲滯0.7V，防止電源電壓不足導致驅動失效；②防直通死區邏輯，典型死區時間280ns，避免高低側功率器件同時導通造成短路。

3.問題：從封裝與熱性能角度，JSM2183STR 的使用需注意哪些限制？
答案：芯片采用SOP-8 封裝，最大結溫150℃，結到環境熱阻200℃/W，封裝功率（25℃時）最大0.625W。使用時需注意散熱設計，避免環境溫度過高或功率損耗過大導致結溫超標，影響可靠性。

國產替代正當時，JSM2183STR 開啟驅動新體驗

從性能參數到場景適配，JSM2183STR 用實力證明了它作為 IR2183 替代方案的硬核底氣：700V 高壓耐受與 4A 大電流輸出，讓它能輕松駕馭高功率場景；集成化保護機制與高速動態響應，為系統安全與效率保駕護航；SOP-8 小封裝、寬邏輯兼容與寬溫設計，讓工程落地更簡單高效。

在國產芯片技術快速崛起的今天，JSM2183STR 不僅是一款 “替代品”，更是一款 “升級品”。它以更貼合現代應用需求的設計，為工程師提供了更優的功率驅動解決方案，無論是家電變頻、工業電機還是新能源設備，都能從中獲得穩定性、效率與成本的多重收益。

如果你正在為 IR2183 的性能瓶頸或設計難題煩惱，不妨試試 JSM2183STR—— 這款集高可靠性、強適配性于一身的國產驅動芯片，或許會成為你產品升級的 “關鍵一步”。讓我們一起期待，更多像 JSM2183STR 這樣的國產芯片，用技術創新重塑功率電子的未來！

如需獲取JSM2183STR datasheet、樣品或代理合作咨詢，歡迎聯系：

 服務熱線：13824341110

 郵箱：janice@jsmsemi.cn

 官網：www.jsmsemi.com

杰盛微半導體提供完善的技術支持，幫助客戶快速導入設計：
 免費申請樣品（新客戶專享）
 提供參考設計及開發工具
 資深FAE團隊一對一支持