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SK海力士引進(jìn)存儲(chǔ)器業(yè)界首臺(tái)量產(chǎn)型High NA EUV設(shè)備

2025-09-03 來源:電子工程專輯
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關(guān)鍵詞: SK海力士 EXE:5200B光刻機(jī) High NA EUV 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)

  • 下一代半導(dǎo)體制造核心設(shè)備EXE:5200B成功引入韓國(guó)利川M16廠,慶祝儀式于9月3日舉行

  • 相較于現(xiàn)有EUV設(shè)備,其精密度和集成度可分別提升1.7倍和2.9倍,確保下一代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的量產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力

  • 車宣龍副社長(zhǎng):“將以最先進(jìn)技術(shù)開發(fā)核心產(chǎn)業(yè)所需的高端存儲(chǔ)器,引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”

韓國(guó)首爾,2025年9月3日——SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)3日宣布,已將業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)(High NA EUV*)引進(jìn)韓國(guó)利川M16工廠,并舉行了設(shè)備入廠慶祝儀式。

* 高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)(High NA EUV,High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography): 擁有比現(xiàn)有EUV更高數(shù)值孔徑(NA**),可大幅提升分辨率的下一代光刻機(jī)。能夠繪制當(dāng)前最微細(xì)的電路圖案,預(yù)計(jì)將在縮小線寬和提升集成度方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。

** 數(shù)值孔徑(NA,Numerical Aperture):用來衡量透鏡匯聚光線能力的數(shù)值。NA值越大,電路圖案繪制的精密度越高。

當(dāng)日舉行的設(shè)備入廠慶祝儀式上,ASML韓國(guó)公司總經(jīng)理金丙燦社長(zhǎng)、SK海力士未來技術(shù)研究院長(zhǎng)兼技術(shù)總管(CTO,Chief Technology Officer)車宣龍副社長(zhǎng)、SK海力士制造技術(shù)擔(dān)當(dāng)李秉起副社長(zhǎng)等領(lǐng)導(dǎo)共同出席,慶祝下一代DRAM生產(chǎn)設(shè)備的引進(jìn)。

SK海力士表示:“在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈的背景下,公司已成功構(gòu)建起快速研發(fā)并供應(yīng)高端產(chǎn)品以滿足客戶需求的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。通過與合作伙伴的密切協(xié)作,公司將進(jìn)一步提升全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的可靠性和穩(wěn)定性。”

半導(dǎo)體制造公司為了提升產(chǎn)品性能和生產(chǎn)效率,微細(xì)制程技術(shù)的優(yōu)化顯得尤為重要。電路圖案制作越精密,每塊晶圓上可生產(chǎn)的芯片數(shù)量就越多,同時(shí)也能有效提高能效與性能。

SK海力士自2021年首次在第四代10納米級(jí)(1a)DRAM中引入EUV技術(shù)以來,持續(xù)將EUV應(yīng)用擴(kuò)展至先進(jìn)DRAM制造領(lǐng)域。然而,為了滿足未來半導(dǎo)體市場(chǎng)對(duì)超微細(xì)化和高集成度的需求,引進(jìn)超越現(xiàn)有EUV的下一代技術(shù)設(shè)備必不可少。

此次引進(jìn)的設(shè)備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B,它是首款量產(chǎn)型High-NA EUV設(shè)備。與現(xiàn)有的EUV設(shè)備(NA 0.33)相比,其光學(xué)性能(NA 0.55)提升了40%,這一改進(jìn)使其能夠制作出精密度高達(dá)1.7倍的電路圖案,并將集成度提升2.9倍。

SK海力士計(jì)劃通過引進(jìn)該設(shè)備,簡(jiǎn)化現(xiàn)有的EUV工藝,并加快下一代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的研發(fā)進(jìn)程,從而確保在產(chǎn)品性能和成本方面的競(jìng)爭(zhēng)力。此舉有望鞏固其在高附加值存儲(chǔ)器市場(chǎng)中的地位,并進(jìn)一步夯實(shí)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。

ASML韓國(guó)公司總經(jīng)理金丙燦社長(zhǎng)表示:“High NA EUV是開啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的核心技術(shù)。我們將與SK海力士緊密合作,積極推動(dòng)下一代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)的創(chuàng)新進(jìn)程。”

SK海力士未來技術(shù)研究院長(zhǎng)兼技術(shù)總管(CTO,Chief Technology Officer)車宣龍副社長(zhǎng)表示:“通過此次設(shè)備引進(jìn),SK海力士為實(shí)現(xiàn)公司未來技術(shù)發(fā)展愿景奠定了核心基礎(chǔ)設(shè)施。公司將以最先進(jìn)技術(shù),為快速增長(zhǎng)的AI和新一代計(jì)算市場(chǎng)開發(fā)所需高端存儲(chǔ)器,引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。”





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