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雖有摻水嫌疑,但臺積電5nm芯片依然最牛

2021-07-20 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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眾所周知,隨著Digitimes近日發(fā)布了一份關(guān)于各大芯片廠商們在不同的工藝節(jié)點時的晶體管密度的分析報告,于是大家關(guān)于intel、三星、臺積電的工藝制程就有了很多說法。

主要都是認為三星的工藝太假了,晶體管密度這么低,3nm還不如英特爾的7nm。還有人表示還是intel最清白,在嚴格遵守摩爾定律。

雖有摻水、造假嫌疑,但臺積電的5nm芯片,依然全球最牛

而關(guān)于臺積電,大家也認為還是有一定的摻水、造假嫌疑的,雖然比三星要好一點,但和intel相比,晶體管密度還是低一些。

當然,晶體管密度不是判定工藝的唯一標準,只是參考,這個大家都是清楚的,雖然對比起來,不管是臺積電,還是三星,較之intel的工藝,晶體管密度確實低了一些。但不可否認的是,目前臺積電的5nm芯片工藝,依然是全球最牛,沒有對手。

雖有摻水、造假嫌疑,但臺積電的5nm芯片,依然全球最牛

首先從對外宣稱的工藝節(jié)點來看,英特爾還在10nm,臺積電在5nm,三星在5nm,至于其它芯片廠商,都在10nm以上,所以很明顯,臺積電5nm與三星的5nm,是當前最先進的工藝了。

再結(jié)合晶體管密度,臺積電的最新的5nm技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)的晶體管密度為1.73億個每平方毫米;三星的最新的5nm技術(shù),晶體管密度只能達到1.27億個每平方毫米,遜色于臺積電。

至于intel,現(xiàn)在還在10nm,能夠?qū)崿F(xiàn)的晶體管密度,還處于1.06億個每平方毫米,所以很明顯,臺積電技術(shù)還是最強的。

雖有摻水、造假嫌疑,但臺積電的5nm芯片,依然全球最牛

事實上,從市場表現(xiàn)來看,也能夠看得出來,臺積電能夠拿下55%的芯片代工市場,而三星只有17%左右,說明廠商們的眼睛是雪亮的。

另外在10nm以下的芯片生產(chǎn)中,臺積電能夠拿下92%的份額,而三星只能拿下10nm以下的8%的份額,這也足夠說明大家在10nm以下工藝時,還是更認可臺積電的技術(shù),而不是三星的技術(shù)。



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