三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片：明年量產(chǎn)
按照計(jì)劃，三星在明年量產(chǎn)2nm芯片，據(jù)了解，三星2nm優(yōu)化了多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu)，還引入了獨(dú)特的外延和集成工藝，與現(xiàn)有的FinFET相比，新工藝顯著提升了晶體管性能，幅度高達(dá)11%至46%，同時(shí)可變性降低了26%，漏電現(xiàn)象減少了約50%。
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集成電路制程向前推進(jìn)的關(guān)鍵 國(guó)產(chǎn)電子束量檢測(cè)設(shè)備加速崛起
半導(dǎo)體的量檢測(cè)設(shè)備貫穿整個(gè)芯片制造工藝的全流程，對(duì)保證產(chǎn)品質(zhì)量起到關(guān)鍵性作用。 -
臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝將漲價(jià)20%！3nm也將漲價(jià)5%！
據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，晶圓代工大廠臺(tái)積電3nm供不應(yīng)求，蘋果、英偉達(dá)（NVIDIA）等七大客戶幾乎包下了臺(tái)積電的全部產(chǎn)能，預(yù)期訂單滿至2026年。 -
3D NAND原廠技術(shù)比拼，哪家垂直單元效率更高？
近日市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Techinsights對(duì)于三星、SK海力士/Solidigm、美光、KIOXIA/WD、YMTC的200層以上的3D NAND Flash進(jìn)行了對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)三星的垂直單元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是最高的。 -
可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布超級(jí)EUV光刻機(jī)：但死胡同也不遠(yuǎn)了
ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī)，同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。 -
AI助攻：益網(wǎng)全新2.5G輕巧型90瓦PoE工業(yè)級(jí)乙太網(wǎng)路交換器
人工智慧（AI）正以驚人的速度重塑我們的生活方式。這場(chǎng)科技革命依賴于大量的數(shù)據(jù)分析、運(yùn)算和數(shù)據(jù)傳輸，推動(dòng)著各個(gè)相關(guān)產(chǎn)業(yè)掀起一波又一波的創(chuàng)新浪潮。 -
OEM如何管理半導(dǎo)體過時(shí)問題？
當(dāng)半導(dǎo)體更新?lián)Q代的速度與終端產(chǎn)品長(zhǎng)期的耐用性需求產(chǎn)生顯著差異時(shí)，電子產(chǎn)品原始設(shè)備制造商(OEM)必須與其供應(yīng)商緊密合作，共同策劃并保障關(guān)鍵半導(dǎo)體部件的持續(xù)供應(yīng)，以滿足市場(chǎng)需求和產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。 -
就在x86和ARM相互爭(zhēng)地盤之時(shí)，第三方勢(shì)力也已進(jìn)入AI PC市場(chǎng)
4月29日，在“創(chuàng)芯·生生不息——進(jìn)迭時(shí)空2024年度產(chǎn)品發(fā)布會(huì)”上，進(jìn)迭時(shí)空創(chuàng)始人、CEO陳志堅(jiān)博士發(fā)布了全球首顆 8核 RISC-V AI CPU——SpacemiT Key Stone? K1（簡(jiǎn)稱K1），用一項(xiàng)項(xiàng)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)證明：在滿足AI算法模型快速迭代和部署方面，同等微架構(gòu)的RISC-V芯片至少領(lǐng)先ARM芯片1.5代。 -
從需求不振到供需失衡，存儲(chǔ)芯片“激勵(lì)”只需AI二字！
人工智能需求推動(dòng)，疊加過去兩年資本支出不足，內(nèi)存市場(chǎng)正迎來前所未有的“超級(jí)周期”。 -
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端方向精進(jìn)，對(duì)PCB產(chǎn)業(yè)提出更高需求
受益于人工智能的蓬勃發(fā)展，高密度互連板（HDI）近年來市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛，被稱作“電子產(chǎn)品之母”的印制電路板行業(yè)也隨之迎來了新的發(fā)展機(jī)遇。
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